Synchrotron-radiation-induced formation of salt particles on an X-ray lithography mask

The suppression and removal of contaminants on X-ray masks are required for the application of X-ray lithography to practical semiconductor production, because contamination is easily transferred to the replicated resist patterns and degrades the LSI patterns. In order to study contamination of a Ta...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Journal of synchrotron radiation. - 1994. - 5(1998), Pt 3 vom: 01. Mai, Seite 1141-3
1. Verfasser: Utsumi, Y (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Takahashi, J I, Hosokawa, T
Format: Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 1998
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Journal of synchrotron radiation
Schlagworte:Journal Article