Synchrotron-radiation X-ray topography of surface strain in large-diameter silicon wafers

Using a 300 mm-wide monochromatic X-ray beam obtained at beamline BL20B2 of SPring-8, the difference in surface-strain distribution caused by various steps of silicon-wafer manufacturing, i.e. slicing, lapping, etching, grinding and polishing, was studied. The asymmetric 511 reflection of 21.45 keV...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of synchrotron radiation. - 1999. - 9(2002), Pt 3 vom: 01. Mai, Seite 166-8
1. Verfasser:	Kawado, S (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Iida, S, Yamaguchi, S, Kimura, S, Hirose, Y, Kajiwara, K, Chikaura, Y, Umeno, M
Format:	Aufsatz
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2002
Zugriff auf das übergeordnete Werk:	Journal of synchrotron radiation
Schlagworte:	Journal Article