Effects of growth temperature on atom distributions, Fermi-level positions, and valence-band offsets for Ge/n-type InP(110) heterojunctions
| Veröffentlicht in: | Physical review. B, Condensed matter. - 1985. - 43(1991), 17 vom: 15. Juni, Seite 13952-13956 |
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| 1. Verfasser: | |
| Weitere Verfasser: | , , |
| Format: | Aufsatz |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
1991
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| Zugriff auf das übergeordnete Werk: | Physical review. B, Condensed matter |
| Schlagworte: | Journal Article |