Model for diffusion and growth of silicon on Si(100) with inequivalent sites in a square lattice

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Physical review. B, Condensed matter. - 1985. - 54(1996), 12 vom: 15. Sept., Seite 8751-8755
1. Verfasser: Iguain (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Mártin, Aldao
Format: Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 1996
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Physical review. B, Condensed matter
Schlagworte:Journal Article
Beschreibung
Beschreibung:Date Revised 20.11.2019
published: Print
Citation Status PubMed-not-MEDLINE
ISSN:0163-1829