Metal-semiconductor fluctuation in the Sn adatoms in the Si(111)-Sn and Ge(111)-Sn ( sqrt 3 x sqrt 3)R30 degrees reconstructions

Metal-semiconductor fluctuation in the Sn adatoms in the Si(111)-Sn and Ge(111)-Sn ( sqrt 3 x sqrt 3)R30 degrees reconstructions

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Physical review. B, Condensed matter. - 1985. - 52(1995), 20 vom: 15. Nov., Seite 14352-14355
1. Verfasser: Göthelid (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Björkqvist, Grehk, Le Lay G, Karlsson
Format: Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 1995
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Physical review. B, Condensed matter
Schlagworte:Journal Article
Beschreibung
Beschreibung:Date Revised 20.11.2019
published: Print
Citation Status PubMed-not-MEDLINE
ISSN:0163-1829