Metal-semiconductor fluctuation in the Sn adatoms in the Si(111)-Sn and Ge(111)-Sn ( sqrt 3 x sqrt 3)R30 degrees reconstructions

von Göthelid
Veröffentlicht in: Physical review. B, Condensed matter (1995)

Surface core-level shifts of Si(111)7 x 7 A fundamental reassessment

von Le Lay G
Veröffentlicht in: Physical review. B, Condensed matter (1994)

Growth mode and electronic structure of the epitaxial C60(111)/GeS(001) interface

von Gensterblum
Veröffentlicht in: Physical review. B, Condensed matter (1994)

Giant band bending induced by Ag on InAs(110) surfaces at low temperature

von Aristov
Veröffentlicht in: Physical review. B, Condensed matter (1993)

Experimental evidence for 400-meV valence-band dispersion in solid C60

von Gensterblum
Veröffentlicht in: Physical review. B, Condensed matter (1993)

Surface core-level shifts on Ge(100) c(4 x 2) to 2 x 1 and 1 x 1 phase transitions

von Le Lay G
Veröffentlicht in: Physical review. B, Condensed matter (1992)

Formation of interfaces between In and Au and GaAs(100) studied with soft-x-ray photoemission spectroscopy

von Mao
Veröffentlicht in: Physical review. B, Condensed matter (1992)

High-resolution synchrotron-radiation core-level spectroscopy of decapped GaAs(100) surfaces

von Le Lay G
Veröffentlicht in: Physical review. B, Condensed matter (1991)

Phase transitions on the Ge(111) and Si(111) surfaces from core-level studies

von Hricovini
Veröffentlicht in: Physical review. B, Condensed matter (1990)

Surface phase transitions on clean Ge(111) studied by spectroscopic ellipsometry

von Abraham
Veröffentlicht in: Physical review. B, Condensed matter (1990)

Ultraviolet photoemission study of the initial adsorption of Pb on Si(100)2 x 1

von Le Lay G
Veröffentlicht in: Physical review. B, Condensed matter (1989)

Room-temperature growth of two-dimensional gold films on GaAs(001)

von Andersson
Veröffentlicht in: Physical review. B, Condensed matter (1987)