Introduction and recovery of point defects in electron-irradiated Te- and Si-doped GaAs studied by positron lifetime spectroscopy

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Physical review. B, Condensed matter. - 1985. - 52(1995), 15 vom: 15. Okt., Seite 10932-10946
1. Verfasser: Saarinen (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Seitsonen, Hautojärvi, Corbel
Format: Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 1995
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Physical review. B, Condensed matter
Schlagworte:Journal Article
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