Introduction and recovery of point defects in electron-irradiated Te- and Si-doped GaAs studied by positron lifetime spectroscopy
| Veröffentlicht in: | Physical review. B, Condensed matter. - 1985. - 52(1995), 15 vom: 15. Okt., Seite 10932-10946 |
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| 1. Verfasser: | |
| Weitere Verfasser: | , , |
| Format: | Aufsatz |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
1995
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| Zugriff auf das übergeordnete Werk: | Physical review. B, Condensed matter |
| Schlagworte: | Journal Article |