Identifying and quantifying point defects in semiconductors using x-ray-absorption spectroscopy : Si-doped GaAs
| Veröffentlicht in: | Physical review. B, Condensed matter. - 1985. - 51(1995), 16 vom: 15. Apr., Seite 10527-10538 |
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| Weitere Verfasser: | , , , , |
| Format: | Aufsatz |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
1995
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| Zugriff auf das übergeordnete Werk: | Physical review. B, Condensed matter |
| Schlagworte: | Journal Article |