Dangling bonds in doped amorphous silicon : Equilibrium, relaxation, and transition energies

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Physical review. B, Condensed matter. - 1985. - 39(1989), 8 vom: 15. März, Seite 5107-5115
1. Verfasser: Branz (VerfasserIn)
Format: Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 1989
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Physical review. B, Condensed matter
Schlagworte:Journal Article
LEADER 01000caa a22002652 4500
001 NLM098839616
003 DE-627
005 20250201012034.0
007 tu
008 231222s1989 xx ||||| 00| ||eng c
028 5 2 |a pubmed25n0330.xml 
035 |a (DE-627)NLM098839616 
035 |a (NLM)9948899 
040 |a DE-627  |b ger  |c DE-627  |e rakwb 
041 |a eng 
100 1 |a Branz  |e verfasserin  |4 aut 
245 1 0 |a Dangling bonds in doped amorphous silicon  |b Equilibrium, relaxation, and transition energies 
264 1 |c 1989 
336 |a Text  |b txt  |2 rdacontent 
337 |a ohne Hilfsmittel zu benutzen  |b n  |2 rdamedia 
338 |a Band  |b nc  |2 rdacarrier 
500 |a Date Revised 20.11.2019 
500 |a published: Print 
500 |a Citation Status PubMed-not-MEDLINE 
650 4 |a Journal Article 
773 0 8 |i Enthalten in  |t Physical review. B, Condensed matter  |d 1985  |g 39(1989), 8 vom: 15. März, Seite 5107-5115  |w (DE-627)NLM098137042  |x 0163-1829  |7 nnns 
773 1 8 |g volume:39  |g year:1989  |g number:8  |g day:15  |g month:03  |g pages:5107-5115 
912 |a GBV_USEFLAG_A 
912 |a SYSFLAG_A 
912 |a GBV_NLM 
912 |a GBV_ILN_181 
912 |a GBV_ILN_350 
951 |a AR 
952 |d 39  |j 1989  |e 8  |b 15  |c 03  |h 5107-5115