Dangling bonds in doped amorphous silicon Equilibrium, relaxation, and transition energies

Dangling bonds in doped amorphous silicon : Equilibrium, relaxation, and transition energies

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Physical review. B, Condensed matter. - 1985. - 39(1989), 8 vom: 15. März, Seite 5107-5115
1. Verfasser: Branz (VerfasserIn)
Format: Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 1989
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Physical review. B, Condensed matter
Schlagworte:Journal Article