Reaction of I2 with the (001) surfaces of GaAs, InAs, and InSb. II. Ordering of the iodine overlayer

von Varekamp
Veröffentlicht in: Physical review. B, Condensed matter (1996)

Reaction of I2 with the (001) surfaces of GaAs, InAs, and InSb. I. Chemical interaction with the substrate

von Varekamp
Veröffentlicht in: Physical review. B, Condensed matter (1996)

Electronic structure of alpha t-(BEDT-TTF)2I3 A photoemission study

von Söderholm
Veröffentlicht in: Physical review. B, Condensed matter (1995)

Photoemission study of the band gap on cesiated Ge(111)1 x 1:As

von Håkansson
Veröffentlicht in: Physical review. B, Condensed matter (1995)

Electronic structure of GaF3 films grown on GaAs via exposure to XeF2

von Varekamp
Veröffentlicht in: Physical review. B, Condensed matter (1994)

XeF2 etching of Si(111) The geometric structure of the reaction layer

von Lo
Veröffentlicht in: Physical review. B, Condensed matter (1993)

Formation of surface F centers on CaF2/Si(111)

von Chakarian V
Veröffentlicht in: Physical review. B, Condensed matter (1993)