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    Single-Layer Spin-Orbit-Torque Magnetization Switching Due to Spin Berry Curvature Generated by Minute Spontaneous Atomic Displacement in a Weyl Oxide
    Single-Layer Spin-Orbit-Torque Magnetization Switching Due to Spin Berry Curvature Generated by Minute Spontaneous Atomic Displacement in a Weyl Oxide
    par Horiuchi, Hiroto
    Publié dans: Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.) (2025)
    Autres auteurs: “...Ohya, Shinobu...”

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  2. 2
    Colossal Magnetoresistive Switching Induced by d0 Ferromagnetism of MgO in a Semiconductor Nanochannel Device with Ferromagnetic Fe/MgO Electrodes
    Colossal Magnetoresistive Switching Induced by d0 Ferromagnetism of MgO in a Semiconductor Nanochannel Device with Ferromagnetic Fe/MgO Electrodes
    par Ohya, Shinobu
    Publié dans: Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.) (2024)

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  3. 3
    Giant Spin-Valve Effect in Planar Spin Devices Using an Artificially Implemented Nanolength Mott-Insulator Region
    Giant Spin-Valve Effect in Planar Spin Devices Using an Artificially Implemented Nanolength Mott-Insulator Region
    par Endo, Tatsuro
    Publié dans: Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.) (2023)
    Autres auteurs: “...Ohya, Shinobu...”

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  4. 4
    High-Mobility 2D Hole Gas at a SrTiO3 Interface
    High-Mobility 2D Hole Gas at a SrTiO3 Interface
    par Anh, Le Duc
    Publié dans: Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.) (2020)
    Autres auteurs: “...Ohya, Shinobu...”

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