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Ge heteroepitaxy 1 Journal Article 1 grazing-incidence X-ray diffraction 1 nanostructured Si 1 silicon-on-insulator (SOI) substrates transmission electron microscopy (TEM) 1
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    X-ray characterization of Ge dots epitaxially grown on nanostructured Si islands on silicon-on-insulator substrates
    X-ray characterization of Ge dots epitaxially grown on nanostructured Si islands on silicon-on-insulator substrates
    von Zaumseil, Peter
    Veröffentlicht in: Journal of applied crystallography (2013)
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