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2
dopant
483W67CPF4
1
7631-86-9
1
Boron Compounds
1
Research Support, Non-U.S. Gov't
1
Silicon Dioxide
1
plus ...
arsenic
1
artificial‐lattice
1
atomic‐precision
1
boron oxide
1
chemical states
1
glass
1
lithography
1
scanning tunneling microscopy
1
silicon
1
topology
1
tunable luminescence
1
moins ...
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1
Single-Atom Control of Arsenic Incorporation in Silicon for High-Yield Artificial Lattice Fabrication
par
Stock, Taylor J Z
Publié dans:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
(2024)
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2
Topological engineering of glass for modulating chemical state of dopants
par
Zhou, Shifeng
Publié dans:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
(2014)
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