Single-Atom Control of Arsenic Incorporation in Silicon for High-Yield Artificial Lattice Fabrication

© 2024 The Authors. Advanced Materials published by Wiley‐VCH GmbH.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 36(2024), 24 vom: 20. Juni, Seite e2312282
1. Verfasser: Stock, Taylor J Z (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Warschkow, Oliver, Constantinou, Procopios C, Bowler, David R, Schofield, Steven R, Curson, Neil J
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2024
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article arsenic artificial‐lattice atomic‐precision dopant lithography scanning tunneling microscopy silicon