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Suggestion de sujets: complementary‐metal‐oxide semiconductor compatible fabrication
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    Fabrication of Ultrathin Ferroelectric Al0.7Sc0.3N Films under Complementary-Metal-Oxide-Semiconductor Compatible Conditions by using HfN0.4 Electrode
    Fabrication of Ultrathin Ferroelectric Al0.7Sc0.3N Films under Complementary-Metal-Oxide-Semiconductor Compatible Conditions by using HfN0.4 Electrode
    par Ryoo, Seung Kyu
    Publié dans: Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.) (2025)

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