Fabrication of Ultrathin Ferroelectric Al0.7Sc0.3N Films under Complementary-Metal-Oxide-Semiconductor Compatible Conditions by using HfN0.4 Electrode

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - (2024) vom: 13. Nov., Seite e2413295
1. Verfasser: Ryoo, Seung Kyu (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Kim, Kyung Do, Choi, Wonho, Sriboriboon, Panithan, Heo, Seungjae, Seo, Haengha, Jang, Yoon Ho, Jeon, Jeong Woo, Yeom, Min Kyu, Lee, Suk Hyun, Park, Han Sol, Kim, Yunseok, Hwang, Cheol Seong
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2024
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article aluminum scandium nitride film bottom interface coherency complementary‐metal‐oxide semiconductor compatible fabrication ferroelectric hafnium nitride scalability