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Coulomb blockade
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6
single-electron transistors
3
Fowler-Nordheim tunneling
1
HfO2
1
atomic layer deposition
1
bismuth telluride
1
plus ...
bottom-up fabrication
1
graphene
1
high-k dielectric
1
logic gates
1
magneto-Coulomb effect
1
manganites
1
molecular electronics
1
self-assembly
1
single-molecule devices
1
spin filter
1
spintronics
1
topological insulators
1
transition metal dichalcogenides
1
tunnel magnetoresistance
1
van der Waals heterostructures
1
moins ...
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1
Gate-Defined Quantum Confinement in CVD 2D WS2
par
Lau, Chit Siong
Publié dans:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
(2022)
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2
Stable Universal 1- and 2-Input Single-Molecule Logic Gates
par
Liu, Ran
Publié dans:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
(2022)
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3
A Single-Electron Transistor Made of a 3D Topological Insulator Nanoplate
par
Jing, Yumei
Publié dans:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
(2019)
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4
Anisotropic Magneto-Coulomb Properties of 2D-0D Heterostructure Single Electron Device
par
Mouafo, Louis Donald Notemgnou
Publié dans:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
(2018)
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5
Bottom-Up Single-Electron Transistors
par
Makarenko, Ksenia S
Publié dans:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
(2017)
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6
Strongly bias-dependent tunnel magnetoresistance in manganite spin filter tunnel junctions
par
Prasad, Bhagwati
Publié dans:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
(2015)
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