Expanded InSe Crystal Structure with Reduced Intrinsic Defects for High-Performance Field-Effect Transistors

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - (2025) vom: 14. Okt., Seite e06506
1. Verfasser: Wang, Zhenhua (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Jin, Min, Song, Kepeng, Wang, Zonghao, Zhang, Zheng, Lin, Siqi, Ji, Hao, Sun, Mingyuan, Wang, Shuai, Chen, Jing, Liu, Hong, Zhang, Yu, Liu, Xuechao, Han, Lin
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2025
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article InSe intrinsic defect lattice expansion space‐growth