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Bibliographische Detailangaben
| Veröffentlicht in: | Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 37(2025), 39 vom: 01. Okt., Seite e2509066
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| 1. Verfasser: |
He, Kexin
(VerfasserIn) |
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| Weitere Verfasser: |
Ran, Wenhao,
Xu, Shaodi,
Wen, Jie,
Qiu, Siqi,
Liu, Tingwei,
Xin, Kaiyao,
Yu, Yali,
Liu, Duan-Yang,
Huang, Qianqian,
Shen, Guozhen,
Wei, Zhongming,
Zhou, Ziqi |
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| Format: | Online-Aufsatz
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| Sprache: | English |
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| Veröffentlicht: |
2025
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| Zugriff auf das übergeordnete Werk: | Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
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| Schlagworte: | Journal Article
2D
GeSe
field‐effect transistor
polarization ratio
polarization‐sensitive photodetectors |
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