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Bibliographische Detailangaben
| Veröffentlicht in: | Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 37(2025), 45 vom: 15. Nov., Seite e10566
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| 1. Verfasser: |
Kong, Lingyuan
(VerfasserIn) |
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| Weitere Verfasser: |
Li, Wei,
Wang, Zihao,
Fan, Zixin,
Yin, Zhuo,
Ling, Haoming,
Hu, Kai,
Tai, Shaojie,
Li, Dingyi,
Li, Chengkai,
Guo, Yang,
Yang, Fang,
Zhang, Wei,
Guo, Jiandong,
Xu, Runzhang,
Chen, Pan,
Liang, Yan,
Zhang, Jiandi |
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| Format: | Online-Aufsatz
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| Sprache: | English |
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| Veröffentlicht: |
2025
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| Zugriff auf das übergeordnete Werk: | Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
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| Schlagworte: | Journal Article
2D ferroelectric semiconductor
Bi2O2Se
BiCuSeO
molecular beam epitaxy
p‐type semiconductor |
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