High-Performance Ga2O3 In-Memory DUV Photodetectors By Interface Charge Reservoir Design for Multifunctional Applications

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Détails bibliographiques
Publié dans:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 37(2025), 33 vom: 15. Aug., Seite e2506179
Auteur principal: Hou, Xiaohu (Auteur)
Autres auteurs: Li, Chen, Chen, Chen, Bai, Shiyu, Liu, Yan, Peng, Zhixin, Zhao, Xiaolong, Zhou, Xuanze, Xu, Guangwei, Gao, Nan, Long, Shibing
Format: Article en ligne
Langue:English
Publié: 2025
Accès à la collection:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Sujets:Journal Article deep UV gallium oxide in‐memory photodetector near‐zero dark current wide bandgap