High-Performance Ga2O3 In-Memory DUV Photodetectors By Interface Charge Reservoir Design for Multifunctional Applications

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 37(2025), 33 vom: 15. Aug., Seite e2506179
1. Verfasser: Hou, Xiaohu (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Li, Chen, Chen, Chen, Bai, Shiyu, Liu, Yan, Peng, Zhixin, Zhao, Xiaolong, Zhou, Xuanze, Xu, Guangwei, Gao, Nan, Long, Shibing
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2025
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article deep UV gallium oxide in‐memory photodetector near‐zero dark current wide bandgap