Polarization Sensitive Vacuum-Ultraviolet Photodetectors Based on m-Plane h-BN

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - (2025) vom: 12. Mai, Seite e2503846
1. Verfasser: Chen, Le (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Long, Ze, Liu, Jishan, Liu, Lu, Han, Zhongyuan, Zhang, Kexiong, Liang, Hongwei, Yin, Hong
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2025
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article VUV photodetector anisotropy epitaxial growth hexagonal boron nitride polarized‐sensitivity detection ultrawide‐bandgap semiconductors