Observation of Conductive Interstitial Ga Line Defects in β-Ga2O3

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - (2025) vom: 21. Apr., Seite e2418230
1. Verfasser: Wang, Liyan (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Liu, Shuai, Liu, Ziyuan, Han, Mengjiao, Tian, Jiehui, Xiao, Yuchuan, Chen, Qitian, Hu, Debo, Zhang, Lizhi, Kang, Lixing, Dai, Qing
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2025
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Ga vacancies line defects near‐field infrared characterization point defects wide‐bandgap semiconductors