Ultralow Voltage Operation of p- and n-FETs Enabled by Self-Formed Gate Dielectric and Metal Contacts on 2D Tellurium

© 2025 The Author(s). Advanced Materials published by Wiley‐VCH GmbH.

Détails bibliographiques
Publié dans:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - (2025) vom: 08. Apr., Seite e2418142
Auteur principal: Niu, Chang (Auteur)
Autres auteurs: Long, Linjia, Zhang, Yizhi, Lin, Zehao, Tan, Pukun, Lin, Jian-Yu, Wu, Wenzhuo, Wang, Haiyan, Ye, Peide D
Format: Article en ligne
Langue:English
Publié: 2025
Accès à la collection:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Sujets:Journal Article 2D Tellurium contact dielectric n‐FET p‐FET