© 2024 Wiley‐VCH GmbH.
Bibliographische Detailangaben
| Veröffentlicht in: | Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 37(2025), 6 vom: 11. Feb., Seite e2411463
|
|---|
| 1. Verfasser: |
Zeng, Binjian
(VerfasserIn) |
|---|
| Weitere Verfasser: |
Yin, Lanyan,
Liu, Ruiping,
Ju, Changfan,
Zhang, Qinghua,
Yang, Zhibin,
Zheng, Shuaizhi,
Peng, Qiangxiang,
Yang, Qiong,
Zhou, Yichun,
Liao, Min |
|---|
| Format: | Online-Aufsatz
|
|---|
| Sprache: | English |
|---|
| Veröffentlicht: |
2025
|
|---|
| Zugriff auf das übergeordnete Werk: | Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
|
|---|
| Schlagworte: | Journal Article
3‐bit/cell operation
Hf1−xZrxO2 thin films
HfO2 ferroelectrics
domain switching
ferroelectric materials |
|---|