Performance Enhancement of Carbon Nanotube Network Transistors via SbI3 Inner-Doping in Selected Regions

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - (2024) vom: 19. Dez., Seite e2415442
1. Verfasser: Guo, Qing (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Wang, Xiujun, Zhao, Pin, Zhang, Zhen, Geng, Lin, Liu, Ye, Teng, Yu, Zhong, Yunlei, Kang, Lixing
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2024
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article contact resistance encapsulation field effect transistors semiconducting single‐wall carbon nanotubes semiconducting‐metallic transition