Composition-Graded Nitride Ferroelectrics Based Multi-Level Non-Volatile Memory for Neuromorphic Computing

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - (2024) vom: 08. Dez., Seite e2414805
1. Verfasser: Wang, Rui (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Ye, Haotian, Xu, Xifan, Wang, Jinlin, Feng, Ran, Wang, Tao, Sheng, Bowen, Liu, Fang, Shen, Bo, Wang, Ping, Wang, Xinqiang
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2024
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article memory devices multi‐level storage scandium aluminum nitride synaptic devices wurtzite ferroelectrics