Organic Nonvolatile 2T Memory Cell Employing a NOT-Gate-Like Architecture Toward Binary Output Level With Enhanced Noise Tolerance

Organic Nonvolatile 2T Memory Cell Employing a NOT-Gate-Like Architecture Toward Binary Output Level With Enhanced Noise Tolerance

© 2024 Wiley‐VCH GmbH.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 36(2024), 52 vom: 16. Dez., Seite e2412255
1. Verfasser: Zhao, Qiang (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Wang, Hanlin, Ni, Zhenjie, Liu, Jie, Li, Jie, Yang, Fangxu, Li, Liqiang, Jiang, Lang, Zhen, Yonggang, Dong, Huanli, Hu, Wenping
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2024
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article ferroelectric memory ferroelectric random access memory (FeRAM) noise tolerance organic nonvolatile memory (ONVM) thin‐film transistors (TFTs)
Online verfügbar Volltext