Sliding Memristor in Parallel-Stacked Hexagonal Boron Nitride

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 36(2024), 35 vom: 26. Aug., Seite e2404177
1. Verfasser: Du, Shuang (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Yang, Wenqi, Gao, Huiying, Dong, Weikang, Xu, Boyu, Watanabe, Kenji, Taniguchi, Takashi, Zhao, Jing, Zheng, Fawei, Zhou, Jiadong, Zheng, Shoujun
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2024
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article ion migration memristor sliding ferroelectricity tunneling van der Waals heterostructures