Van der Waals Epitaxial Growth of Ultrathin Indium Antimonide on Arbitrary Substrates through Low-Thermal Budget

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 36(2024), 30 vom: 05. Juli, Seite e2402435
1. Verfasser: Xiong, Ziren (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Wen, Yao, Wang, Hao, Zhang, Xiaolin, Yin, Lei, Cheng, Ruiqing, Tu, Yangyuan, He, Jun
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2024
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article 2D materials III–V semiconductors field effect transistor heterogeneous integration van der Waals epitaxy