Topological Electronic Transition Contributing to Improved Thermoelectric Performance in p-Type Mg3Sb2- xBix Solid Solutions

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 36(2024), 26 vom: 01. Juni, Seite e2400845
1. Verfasser: Xie, Sen (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Wan, Xiaolin, Wu, Yasong, Li, Chunxia, Yan, Fan, Ouyang, Yujie, Ge, Haoran, Li, Xianda, Liu, Yong, Wang, Rui, Toriyama, Michael Y, Snyder, G Jeffrey, Yang, Jiong, Zhang, Qingjie, Liu, Wei, Tang, Xinfeng
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2024
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Mg3Sb2−xBix multivalley valence band thermoelectric topological electronic transition