High-κ Dielectric (HfO2)/2D Semiconductor (HfSe2) Gate Stack for Low-Power Steep-Switching Computing Devices

© 2024 The Authors. Advanced Materials published by Wiley‐VCH GmbH.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 36(2024), 26 vom: 01. Juni, Seite e2312747
1. Verfasser: Kang, Taeho (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Park, Joonho, Jung, Hanggyo, Choi, Haeju, Lee, Sang-Min, Lee, Nayeong, Lee, Ryong-Gyu, Kim, Gahye, Kim, Seung-Hwan, Kim, Hyung-Jun, Yang, Cheol-Woong, Jeon, Jongwook, Kim, Yong-Hoon, Lee, Sungjoo
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2024
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article atomically sharp interface high‐κ gate stack native oxide steep‐switching computing van der waals material