Achieving Zero-Temperature Coefficient Point Behavior by Defect Passivation for Temperature-Immune Organic Field-Effect Transistors

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 36(2024), 25 vom: 10. Juni, Seite e2400089
1. Verfasser: Qi, Jiannan (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Tie, Kai, Ma, Yue, Huang, Yinan, Gong, Wenbing, Sun, Shougang, Wang, Zhongwu, Li, Zhiyun, Huang, Rong, Bi, Jinshun, Li, Liqiang, Chen, Xiaosong, Hu, Wenping
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2024
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Fermi pinning elimination defect passivation strategy organic field‐effect transistors temperature‐immune