Coexistence of Quantum-Spin-Hall and Quantum-Hall-Topological-Insulating States in Graphene/hBN on SrTiO3 Substrate

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 36(2024), 19 vom: 07. Mai, Seite e2311339
1. Verfasser: Obata, Reiji (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Kosugi, Mioko, Kikkawa, Takashi, Kuroyama, Kazuyuki, Yokouchi, Tomoyuki, Shiomi, Yuki, Maruyama, Shigeo, Hirakawa, Kazuhiko, Saitoh, Eiji, Haruyama, Junji
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2024
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article SrTiO3 substrate graphene helical edge spin phase quantum hall topological insulating state quantum spin hall state