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Bibliographische Detailangaben
| Veröffentlicht in: | Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 36(2024), 15 vom: 01. Apr., Seite e2211305
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| 1. Verfasser: |
Wang, He
(VerfasserIn) |
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| Weitere Verfasser: |
Guan, Zeyu,
Li, Jiachen,
Luo, Zhen,
Du, Xinzhe,
Wang, Zijian,
Zhao, Haoyu,
Shen, Shengchun,
Yin, Yuewei,
Li, Xiaoguang |
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| Format: | Online-Aufsatz
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| Sprache: | English |
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| Veröffentlicht: |
2024
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| Zugriff auf das übergeordnete Werk: | Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
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| Schlagworte: | Journal Article
artificial synapse
ferroelectric tunnel junction
hafnium dioxide
memristor
ultrafast operation speed |
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