Current-Controllable and Reversible Multi-Resistance-State Based on Domain Wall Number Transition in 2D Ferromagnet Fe3GeTe2

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 36(2024), 18 vom: 01. Mai, Seite e2311831
1. Verfasser: Yang, Chendi (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Huang, Yalei, Pei, Ke, Long, Xiumin, Yang, Liting, Luo, Yongming, Lai, Yuxiang, Zhang, Jincang, Cao, Guixin, Che, Renchao
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2024
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article 2D ferromagnet Fe3GeTe2 domain wall motion in‐situ experiment resistance spintronic nanodevices