Defect Engineering of 2D Semiconductors for Dual Control of Emission and Carrier Polarity

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 36(2024), 14 vom: 26. Apr., Seite e2312425
1. Verfasser: Chen, Ying (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Liu, Huawei, Yu, Guoliang, Ma, Chao, Xu, Zheyuan, Zhang, Jinding, Zhang, Cheng, Chen, Mingxing, Li, Dong, Zheng, Weihao, Luo, Ziyu, Yang, Xin, Li, Kaihui, Yao, Chengdong, Zhang, Danliang, Xu, Boyi, Yi, Jiali, Yi, Chen, Li, Bo, Zhang, Hongmei, Zhang, Zucheng, Zhu, Xiaoli, Li, Siyu, Chen, Shula, Jiang, Ying, Pan, Anlian
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2024
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article carrier polarity modulation extraordinary stability giant emission enhancement substitutional doping sulfur‐based 2D materials