Ni Single-Atoms Based Memristors with Ultrafast Speed and Ultralong Data Retention

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 36(2024), 6 vom: 01. Feb., Seite e2308153
1. Verfasser: Li, Hua-Xin (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Li, Qing-Xiu, Li, Fu-Zhi, Liu, Jia-Peng, Gong, Guo-Dong, Zhang, Yu-Qi, Leng, Yan-Bing, Sun, Tao, Zhou, Ye, Han, Su-Ting
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2024
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article memristors retention time single atoms materials switching speed