Oxygen-Induced Lattice Strain for High-Performance Organic Transistors with Enhanced Stability

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 35(2023), 52 vom: 29. Dez., Seite e2306975
1. Verfasser: Sun, Shougang (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Zhu, Jie, Wang, Zhongwu, Huang, Yinan, Hu, Yongxu, Chen, Xiaosong, Sun, Yajing, Li, Liqiang, Hu, Wenping
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2023
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article lattice strain organic semiconductor organic transistors oxygen stability