Ambient-Stable 2D Dion-Jacobson Phase Tin Halide Perovskite Field-Effect Transistors with Mobility over 1.6 Cm2 V-1 s-1

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 35(2023), 44 vom: 02. Nov., Seite e2305648
1. Verfasser: Qiu, Xincan (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Xia, Jiangnan, Liu, Yu, Chen, Ping-An, Huang, Lanyu, Wei, Huan, Ding, Jiaqi, Gong, Zhenqi, Zeng, Xi, Peng, Chengyuan, Chen, Chen, Wang, Xiao, Jiang, Lang, Liao, Lei, Hu, Yuanyuan
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2023
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Dion-Jacobson phase perovskites ambient-stable transistors field-effect transistors high performance electronics