Nanoelectronics Using Metal-Insulator Transition

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 36(2024), 5 vom: 13. Feb., Seite e2305353
1. Verfasser: Lee, Yoon Jung (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Kim, Youngmin, Gim, Hyeongyu, Hong, Kootak, Jang, Ho Won
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2024
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Review Mott insulators artificial neuron artificial synapse logic memory metal-insulator transition (MIT) nanoelectronics sensors