Single-Gate In-Transistor Readout of Current Superposition and Collapse Utilizing Quantum Tunneling and Ferroelectric Switching

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Détails bibliographiques
Publié dans:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 35(2023), 32 vom: 05. Aug., Seite e2301206
Auteur principal: Chen, Ching-Hung (Auteur)
Autres auteurs: Lai, Yu-Ting, Chen, Ciao-Fen, Wu, Pei-Tzu, Su, Kuan-Jung, Hsu, Sheng-Yang, Dai, Guo-Jin, Huang, Zan-Yi, Hsu, Chien-Lung, Lee, Shen-Yang, Shen, Chuan-Hui, Chen, Hsin-Yu, Lee, Chia-Chin, Hsieh, Dong-Ru, Lin, Yen-Fu, Chao, Tien-Sheng, Lo, Shun-Tsung
Format: Article en ligne
Langue:English
Publié: 2023
Accès à la collection:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Sujets:Journal Article Hf0.5Zr0.5O2 charge percolation ferroelectric switching nanostructured transistors polysilicon nanofilms polysilicon nanosheets quantum tunneling