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Bibliographische Detailangaben
| Veröffentlicht in: | Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 35(2023), 31 vom: 01. Aug., Seite e2302350
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| 1. Verfasser: |
Cui, Baoshan
(VerfasserIn) |
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| Weitere Verfasser: |
Chen, Aitian,
Zhang, Xu,
Fang, Bin,
Zeng, Zhaozhuo,
Zhang, Peng,
Zhang, Jing,
He, Wenqing,
Yu, Guoqiang,
Yan, Peng,
Han, Xiufeng,
Wang, Kang L,
Zhang, Xixiang,
Wu, Hao |
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| Format: | Online-Aufsatz
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| Sprache: | English |
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| Veröffentlicht: |
2023
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| Zugriff auf das übergeordnete Werk: | Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
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| Schlagworte: | Journal Article
field-free switching
magnetic random-access memory
magnetic tunnel junctions
spin-orbit torque
topological insulators |
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