Achieving Ferroelectricity in a Centrosymmetric High-Performance Semiconductor by Strain Engineering

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Détails bibliographiques
Publié dans:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 35(2023), 22 vom: 08. Juni, Seite e2300450
Auteur principal: Wu, Mengqi (Auteur)
Autres auteurs: Lou, Zhefeng, Dai, Chen-Min, Wang, Tao, Wang, Jiaqi, Zhu, Ziye, Xu, Zhuokai, Sun, Tulai, Li, Wenbin, Zheng, Xiaorui, Lin, Xiao
Format: Article en ligne
Langue:English
Publié: 2023
Accès à la collection:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Sujets:Journal Article bismuth oxyselenide ferroelectric transition memristors strain engineering