Achieving Ferroelectricity in a Centrosymmetric High-Performance Semiconductor by Strain Engineering

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 35(2023), 22 vom: 08. Juni, Seite e2300450
1. Verfasser: Wu, Mengqi (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Lou, Zhefeng, Dai, Chen-Min, Wang, Tao, Wang, Jiaqi, Zhu, Ziye, Xu, Zhuokai, Sun, Tulai, Li, Wenbin, Zheng, Xiaorui, Lin, Xiao
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2023
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article bismuth oxyselenide ferroelectric transition memristors strain engineering