Distinct Contact Scaling Effects in MoS2 Transistors Revealed with Asymmetrical Contact Measurements

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Détails bibliographiques
Publié dans:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 35(2023), 21 vom: 13. Mai, Seite e2210916
Auteur principal: Cheng, Zhihui (Auteur)
Autres auteurs: Backman, Jonathan, Zhang, Huairuo, Abuzaid, Hattan, Li, Guoqing, Yu, Yifei, Cao, Linyou, Davydov, Albert V, Luisier, Mathieu, Richter, Curt A, Franklin, Aaron D
Format: Article en ligne
Langue:English
Publié: 2023
Accès à la collection:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Sujets:Journal Article contact scaling current crowding negative differential resistance transfer length two-dimensional field-effect transistors