Redox-Based Resistive Switching Memories - Nanoionic Mechanisms, Prospects, and Challenges

Copyright © 2009 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 21(2009), 25-26 vom: 13. Juli, Seite 2632-2663
1. Verfasser: Waser, Rainer (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Dittmann, Regina, Staikov, Georgi, Szot, Kristof
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2009
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Review data storage defects electrochemical metallization cells memory devices memristors resistive switching oxides valence change